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GeneSiC Semiconductor GA10JT12-263
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | GA10JT12-263 |
| Référence EBEE | E83282332 |
| Boîtier | - |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $18.1843 | $ 18.1843 |
| 200+ | $7.0374 | $ 1407.4800 |
| 500+ | $6.7908 | $ 3395.4000 |
| 1000+ | $6.6683 | $ 6668.3000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | GeneSiC Semiconductor GA10JT12-263 | |
| RoHS | ||
| Dissipation du pouvoir | 170W | |
| Courant d'égout continu | 25A | |
| Tension de source d'égout | 1200V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $18.1843 | $ 18.1843 |
| 200+ | $7.0374 | $ 1407.4800 |
| 500+ | $6.7908 | $ 3395.4000 |
| 1000+ | $6.6683 | $ 6668.3000 |
