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GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | G3R60MT07J |
| Référence EBEE | E83291146 |
| Boîtier | TO-263-7 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | TO-263-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $27.5577 | $ 27.5577 |
| 200+ | $10.6646 | $ 2132.9200 |
| 500+ | $10.2897 | $ 5144.8500 |
| 1000+ | $10.1052 | $ 10105.2000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J | |
| RoHS | ||
| Tension de source d'égout | 750V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $27.5577 | $ 27.5577 |
| 200+ | $10.6646 | $ 2132.9200 |
| 500+ | $10.2897 | $ 5144.8500 |
| 1000+ | $10.1052 | $ 10105.2000 |
