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GeneSiC Semiconductor G3R450MT17D
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | G3R450MT17D |
| Référence EBEE | E83290715 |
| Boîtier | TO-247-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $16.3676 | $ 16.3676 |
| 200+ | $6.3341 | $ 1266.8200 |
| 500+ | $6.1117 | $ 3055.8500 |
| 1000+ | $6.0023 | $ 6002.3000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | GeneSiC Semiconductor G3R450MT17D | |
| RoHS | ||
| Dissipation du pouvoir | 88W | |
| Courant d'égout continu | 9A | |
| Type de canal | 1 N-Channel | |
| Tension de source d'égout | 1700V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $16.3676 | $ 16.3676 |
| 200+ | $6.3341 | $ 1266.8200 |
| 500+ | $6.1117 | $ 3055.8500 |
| 1000+ | $6.0023 | $ 6002.3000 |
