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GeneSiC Semiconductor G3R350MT12D
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | G3R350MT12D |
| Référence EBEE | E85644656 |
| Boîtier | TO-247-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $9.6192 | $ 9.6192 |
| 210+ | $3.8390 | $ 806.1900 |
| 510+ | $3.7100 | $ 1892.1000 |
| 990+ | $3.6473 | $ 3610.8270 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | GeneSiC Semiconductor G3R350MT12D | |
| RoHS |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $9.6192 | $ 9.6192 |
| 210+ | $3.8390 | $ 806.1900 |
| 510+ | $3.7100 | $ 1892.1000 |
| 990+ | $3.6473 | $ 3610.8270 |
