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GeneSiC Semiconductor G2R1000MT33J
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | G2R1000MT33J |
| Référence EBEE | E83291150 |
| Boîtier | TO-263-7 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | TO-263-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $44.5110 | $ 44.5110 |
| 200+ | $17.2252 | $ 3445.0400 |
| 500+ | $16.6208 | $ 8310.4000 |
| 1000+ | $16.3215 | $ 16321.5000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | GeneSiC Semiconductor G2R1000MT33J | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Dissipation du pouvoir | 74W | |
| Charge totale de la porte | 18nC | |
| Courant d'égout continu | 5A | |
| Capacité de transfert inversé | 2.4pF | |
| Capacité d'entrée | 238pF | |
| Capacité de sortie | 10pF | |
| Configuration | - | |
| Type de canal | 1 N-Channel | |
| Source de l'égout Résistance à l'état (15V) | - | |
| Résistance à l'égout-Source sur l'état (18V) | - | |
| Source de l'égout Résistance à l'état (20V) | 1000mΩ | |
| Type encapsulé | Single Tube | |
| Résistance à l'égout-Source sur l'état (10V) | - | |
| Tension de source d'égout | 3300V | |
| Tension du seuil de seuil de source de égout | 3.5V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $44.5110 | $ 44.5110 |
| 200+ | $17.2252 | $ 3445.0400 |
| 500+ | $16.6208 | $ 8310.4000 |
| 1000+ | $16.3215 | $ 16321.5000 |
