| Fabricant | |
| Référence Fabricant | ADR065N028AH |
| Référence EBEE | E822470093 |
| Boîtier | TOLL |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | TOLL Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $9.0578 | $ 9.0578 |
| 10+ | $7.7829 | $ 77.8290 |
| 30+ | $7.0065 | $ 210.1950 |
| 100+ | $6.3540 | $ 635.4000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | ANHI ADR065N028AH | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 45mΩ | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 12.9pF | |
| Pd - Power Dissipation | 294W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 80A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.333nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 226.7pF | |
| Gate Charge(Qg) | 97.6nC |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $9.0578 | $ 9.0578 |
| 10+ | $7.7829 | $ 77.8290 |
| 30+ | $7.0065 | $ 210.1950 |
| 100+ | $6.3540 | $ 635.4000 |
