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ANHI ADR065N028AH


Fabricant
Référence Fabricant
ADR065N028AH
Référence EBEE
E822470093
Boîtier
TOLL
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
-
Description
TOLL Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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5 En stock pour livraison rapide
5 disponible pour livraison immédiate
Peut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
Qté.Prix unitairePrix total
1+$9.0578$ 9.0578
10+$7.7829$ 77.8290
30+$7.0065$ 210.1950
100+$6.3540$ 635.4000
Meilleur prix pour plus de quantité ?
$
TypeDescription
Tout sélectionner
CatégorieDispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET)
Fiche TechniqueANHI ADR065N028AH
RoHS
TypeN-Channel
RDS (on)45mΩ
Température de fonctionnement-55℃~+175℃
Capacité de transfert inversé (Crss-Vds)12.9pF
Pd - Power Dissipation294W
Drain to Source Voltage650V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))5V
Current - Continuous Drain(Id)80A
Ciss-Input Capacitance2.333nF
Output Capacitance(Coss)226.7pF
Gate Charge(Qg)97.6nC

Guide d’achat

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