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ANHI ADP120N080G2
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | ADP120N080G2 |
| Référence EBEE | E822470090 |
| Boîtier | TO-220 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | TO-220 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
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| 10+ | $3.0691 | $ 30.6910 |
| 50+ | $2.7785 | $ 138.9250 |
| 100+ | $2.4832 | $ 248.3200 |
| 500+ | $2.3482 | $ 1174.1000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | ANHI ADP120N080G2 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 100mΩ | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 4pF | |
| Pd - Power Dissipation | 188W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 35A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.377nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 62pF | |
| Gate Charge(Qg) | 58nC |
Guide d’achat
Développer
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
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| 1+ | $3.5581 | $ 3.5581 |
| 10+ | $3.0691 | $ 30.6910 |
| 50+ | $2.7785 | $ 138.9250 |
| 100+ | $2.4832 | $ 248.3200 |
| 500+ | $2.3482 | $ 1174.1000 |
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