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AnBon AS2M040120P
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | AS2M040120P |
| Référence EBEE | E819762685 |
| Boîtier | TO-247-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $12.6075 | $ 12.6075 |
| 10+ | $11.9904 | $ 119.9040 |
| 30+ | $10.9210 | $ 327.6300 |
| 90+ | $9.9869 | $ 898.8210 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | AnBon AS2M040120P | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 52mΩ | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 15pF | |
| Pd - Power Dissipation | 375W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 65A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.08nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 86pF | |
| Gate Charge(Qg) | 120nC |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $12.6075 | $ 12.6075 |
| 10+ | $11.9904 | $ 119.9040 |
| 30+ | $10.9210 | $ 327.6300 |
| 90+ | $9.9869 | $ 898.8210 |
