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Yangzhou Yangjie Elec Tech YJD212040NCFG2
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | YJD212040NCFG2 |
| Código de Pieza EBEE | E820605668 |
| Paquete | TO-247-4L |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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|---|---|---|
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| 10+ | $8.3486 | $ 83.4860 |
| 30+ | $7.5756 | $ 227.2680 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | Yangzhou Yangjie Elec Tech YJD212040NCFG2 | |
| RoHS | ||
| Tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 44mΩ | |
| Temperatura de funcionamiento - | -55℃~+175℃ | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 7.2pF | |
| Pd - Power Dissipation | 333W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 66A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.456nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 127pF | |
| Gate Charge(Qg) | 116nC |
Guía de compra
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