| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | CI90N120SM4 |
| Código de Pieza EBEE | E85364637 |
| Paquete | TO-247-4 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| Descripción | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $12.1976 | $ 12.1976 |
| 10+ | $12.0273 | $ 120.2730 |
| 30+ | $11.7337 | $ 352.0110 |
| 90+ | $11.4782 | $ 1033.0380 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | Tokmas CI90N120SM4 | |
| RoHS | ||
| Corriente de drenaje continuo | 90A | |
| Voltaje de fuentes de drenaje | 1200V |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $12.1976 | $ 12.1976 |
| 10+ | $12.0273 | $ 120.2730 |
| 30+ | $11.7337 | $ 352.0110 |
| 90+ | $11.4782 | $ 1033.0380 |
