| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | C3M0120090D |
| Código de Pieza EBEE | E85713506 |
| Paquete | TO-247-3 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $11.0512 | $ 11.0512 |
| 10+ | $9.5561 | $ 95.5610 |
| 30+ | $8.6463 | $ 259.3890 |
| 90+ | $7.8814 | $ 709.3260 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | Wolfspeed C3M0120090D | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 97W | |
| Drain to Source Voltage | 900V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 23A |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $11.0512 | $ 11.0512 |
| 10+ | $9.5561 | $ 95.5610 |
| 30+ | $8.6463 | $ 259.3890 |
| 90+ | $7.8814 | $ 709.3260 |
