Recommonended For You
Las imágenes son solo para referencia
Añadir a Favoritos
SUPSiC GC3M0060065K
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | GC3M0060065K |
| Código de Pieza EBEE | E87435031 |
| Paquete | TO-247-4 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
¡Estos materiales soportan cables personalizados!
Saber más >>255 En Stock para Envío Rápido
255 disponible para envío inmediatoPuede Enviarse en 1-2 Días Hábiles
Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.2604 | $ 5.2604 |
| 10+ | $4.5566 | $ 45.5660 |
| 30+ | $3.8512 | $ 115.5360 |
| 90+ | $3.4286 | $ 308.5740 |
| 600+ | $3.2347 | $ 1940.8200 |
| 900+ | $3.1458 | $ 2831.2200 |
¿Mejor precio para mayor cantidad?
$
Recomendado Para Ti
Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | SUPSiC GC3M0060065K | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | 60mΩ@15V | |
| Operating Temperature - | -40℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 9pF | |
| Pd - Power Dissipation | 150W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 37A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.02nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 80pF | |
| Gate Charge(Qg) | 46nC |
Guía de compra
Expandir
255 Stock for Shipping Fast
255 available for immediate shippingPuede Enviarse en 1-2 Días Hábiles
Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.2604 | $ 5.2604 |
| 10+ | $4.5566 | $ 45.5660 |
| 30+ | $3.8512 | $ 115.5360 |
| 90+ | $3.4286 | $ 308.5740 |
| 600+ | $3.2347 | $ 1940.8200 |
| 900+ | $3.1458 | $ 2831.2200 |
¿Mejor precio para mayor cantidad?
$
