Recommonended For You
Las imágenes son solo para referencia
Añadir a Favoritos

InventChip IV1Q12050T4


Fabricante
Código de Pieza del Fabricante
IV1Q12050T4
Código de Pieza EBEE
E82924638
Paquete
TO-247-4
Número de Cliente
Hoja de Datos
Modelos EDA
ECCN
EAR99
Descripción
TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
¡Estos materiales soportan cables personalizados!
Saber más >>
En Stock: 76
Mínimo: 1Múltiplos: 1
Precio Unitario
$ 18.4145
Precio Ext.
$ 18.4145
Puede Enviarse en 1-2 Días Hábiles
Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
Cant.Precio UnitarioPrecio Ext.
1+$18.4145$ 18.4145
10+$17.2532$ 172.5320
30+$15.9944$ 479.8320
90+$14.8963$ 1340.6670
¿Mejor precio para mayor cantidad?
$
TipoDescripción
Seleccionar Todo
CategoríaDispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET)
Hoja de DatosInventChip IV1Q12050T4
RoHS
Disipación de energía344W
Corriente de drenaje continuo58A
Tipo de canal1 N-Channel
Voltaje de fuentes de drenaje1200V

Guía de compra

Expandir