| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | IV1Q12050T4 |
| Código de Pieza EBEE | E82924638 |
| Paquete | TO-247-4 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $18.4145 | $ 18.4145 |
| 10+ | $17.2532 | $ 172.5320 |
| 30+ | $15.9944 | $ 479.8320 |
| 90+ | $14.8963 | $ 1340.6670 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | InventChip IV1Q12050T4 | |
| RoHS | ||
| Disipación de energía | 344W | |
| Corriente de drenaje continuo | 58A | |
| Tipo de canal | 1 N-Channel | |
| Voltaje de fuentes de drenaje | 1200V |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $18.4145 | $ 18.4145 |
| 10+ | $17.2532 | $ 172.5320 |
| 30+ | $15.9944 | $ 479.8320 |
| 90+ | $14.8963 | $ 1340.6670 |
