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SUPSiC GC3M0016120D
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | GC3M0016120D |
| Código de Pieza EBEE | E87435039 |
| Paquete | TO247-3 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | TO247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | SUPSiC GC3M0016120D | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 16mΩ@15V | |
| Operating Temperature - | -40℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 13pF | |
| Pd - Power Dissipation | 556W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 115A | |
| Ciss-Input Capacitance | 6.085nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 230pF | |
| Gate Charge(Qg) | 207nC |
Guía de compra
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