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Power X KXMW120R80T3
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | KXMW120R80T3 |
| Código de Pieza EBEE | E820607110 |
| Paquete | TO-247-3L |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | TO-247-3L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $7.0573 | $ 7.0573 |
| 10+ | $6.1859 | $ 61.8590 |
| 30+ | $5.6550 | $ 169.6500 |
| 90+ | $5.2093 | $ 468.8370 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | Power X KXMW120R80T3 | |
| RoHS | ||
| Disipación de energía | 251W | |
| Corriente de drenaje continuo | 49A | |
| Tipo de canal | 1 N-Channel | |
| Voltaje de fuentes de drenaje | 1200V |
Guía de compra
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $7.0573 | $ 7.0573 |
| 10+ | $6.1859 | $ 61.8590 |
| 30+ | $5.6550 | $ 169.6500 |
| 90+ | $5.2093 | $ 468.8370 |
