| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | YJD212025NCTGH |
| Código de Pieza EBEE | E820605661 |
| Paquete | TO247-4L |
| Número de Cliente | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | TO247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $30.0119 | $ 30.0119 |
| 195+ | $11.9755 | $ 2335.2225 |
| 495+ | $11.5750 | $ 5729.6250 |
| 1005+ | $11.3781 | $ 11434.9905 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| RoHS |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $30.0119 | $ 30.0119 |
| 195+ | $11.9755 | $ 2335.2225 |
| 495+ | $11.5750 | $ 5729.6250 |
| 1005+ | $11.3781 | $ 11434.9905 |
