| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | YJD212025NCFGH |
| Código de Pieza EBEE | E820605660 |
| Paquete | TO-247-4L |
| Número de Cliente | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $29.2665 | $ 29.2665 |
| 195+ | $11.6777 | $ 2277.1515 |
| 495+ | $11.2876 | $ 5587.3620 |
| 1005+ | $11.0943 | $ 11149.7715 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| RoHS |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $29.2665 | $ 29.2665 |
| 195+ | $11.6777 | $ 2277.1515 |
| 495+ | $11.2876 | $ 5587.3620 |
| 1005+ | $11.0943 | $ 11149.7715 |
