| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | C3M0350120D |
| Código de Pieza EBEE | E85567660 |
| Paquete | TO-247-3 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.8421 | $ 5.8421 |
| 10+ | $5.6894 | $ 56.8940 |
| 30+ | $5.5893 | $ 167.6790 |
| 90+ | $5.4876 | $ 493.8840 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | Wolfspeed C3M0350120D | |
| RoHS | ||
| Disipación de energía | 50W | |
| Corriente de drenaje continuo | 7.6A | |
| Tipo de canal | 1 N-Channel | |
| Voltaje de fuentes de drenaje | 1200V |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.8421 | $ 5.8421 |
| 10+ | $5.6894 | $ 56.8940 |
| 30+ | $5.5893 | $ 167.6790 |
| 90+ | $5.4876 | $ 493.8840 |
