| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | C3M0120090J-TR |
| Código de Pieza EBEE | E85713507 |
| Paquete | TO-263-7 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | TO-263-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $10.0309 | $ 10.0309 |
| 10+ | $9.7906 | $ 97.9060 |
| 30+ | $9.6317 | $ 288.9510 |
| 100+ | $9.4728 | $ 947.2800 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | Wolfspeed C3M0120090J-TR | |
| RoHS | ||
| Disipación de energía | 83W | |
| Corriente de drenaje continuo | 22A | |
| Tipo de canal | 1 N-Channel | |
| Voltaje de fuentes de drenaje | 900V |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $10.0309 | $ 10.0309 |
| 10+ | $9.7906 | $ 97.9060 |
| 30+ | $9.6317 | $ 288.9510 |
| 100+ | $9.4728 | $ 947.2800 |
