| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | C3M0075120K |
| Código de Pieza EBEE | E85693030 |
| Paquete | TO-247-4 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $13.3486 | $ 13.3486 |
| 10+ | $11.6820 | $ 116.8200 |
| 30+ | $10.6650 | $ 319.9500 |
| 90+ | $9.8139 | $ 883.2510 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | Wolfspeed C3M0075120K | |
| RoHS | ||
| Disipación de energía | 113.6W | |
| Corriente de drenaje continuo | 30A | |
| Tipo de canal | 1 N-Channel | |
| Voltaje de fuentes de drenaje | 1200V |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $13.3486 | $ 13.3486 |
| 10+ | $11.6820 | $ 116.8200 |
| 30+ | $10.6650 | $ 319.9500 |
| 90+ | $9.8139 | $ 883.2510 |
