| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | C2M0280120D |
| Código de Pieza EBEE | E85713503 |
| Paquete | TO-247-3 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $9.5058 | $ 9.5058 |
| 10+ | $9.2795 | $ 92.7950 |
| 30+ | $9.1292 | $ 273.8760 |
| 90+ | $8.9789 | $ 808.1010 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | Wolfspeed C2M0280120D | |
| RoHS | ||
| Disipación de energía | 62.5W | |
| Corriente de drenaje continuo | 10A | |
| Tipo de canal | 1 N-Channel | |
| V(BR)DSS | 1200V |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $9.5058 | $ 9.5058 |
| 10+ | $9.2795 | $ 92.7950 |
| 30+ | $9.1292 | $ 273.8760 |
| 90+ | $8.9789 | $ 808.1010 |
