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Tokmas CI90N120SM


Fabricante
Código de Pieza del Fabricante
CI90N120SM
Código de Pieza EBEE
E85364636
Paquete
TO-247-3
Número de Cliente
Hoja de Datos
Modelos EDA
Descripción
TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
¡Estos materiales soportan cables personalizados!
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En Stock: 147
Mínimo: 1Múltiplos: 1
Precio Unitario
$ 12.1314
Precio Ext.
$ 12.1314
Puede Enviarse en 1-2 Días Hábiles
Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
Cant.Precio UnitarioPrecio Ext.
1+$12.1314$ 12.1314
10+$10.6433$ 106.4330
30+$9.7305$ 291.9150
90+$8.9647$ 806.8230
¿Mejor precio para mayor cantidad?
$
TipoDescripción
Seleccionar Todo
CategoríaDispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET)
Hoja de DatosTokmas CI90N120SM
RoHS
Temperatura de funcionamiento-55℃~+150℃
Disipación de energía463W
Total carga de la puerta164nC
Corriente de drenaje continuo90A
Reverse transferencia Capacitance42.8pF
Capacitación de entrada4700pF
Capacitación de salida231pF
Configuración-
Tipo de canal1 N-Channel
Drain-Source Resistencia al Estado (15V)-
Drain-Source Resistencia estatal (18V)-
Resistencia en estado de la fuente de drenaje (20V)27mΩ
Vgs (s)2.5V
Tipo encapsuladoSingle Tube
V(BR)DSS1200V
Resistencia del estado de la fuente de drenaje (10V)-

Guía de compra

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