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SUPSiC GC3M0120090D
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | GC3M0120090D |
| Código de Pieza EBEE | E87435035 |
| Paquete | TO-247-3 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | SUPSiC GC3M0120090D | |
| RoHS | ||
| Tipo | N-Channel | |
| Configuración | - | |
| RDS (on) | 120mΩ@15V | |
| Temperatura de funcionamiento - | -55℃~+150℃ | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 3pF | |
| Pd - Power Dissipation | 97W | |
| Drain to Source Voltage | 900V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 23A | |
| Ciss-Input Capacitance | 414pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 48pF | |
| Gate Charge(Qg) | 21nC |
Guía de compra
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