Recommonended For You
Las imágenes son solo para referencia
Añadir a Favoritos
SUPSiC GC3M0075120D
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | GC3M0075120D |
| Código de Pieza EBEE | E87435045 |
| Paquete | TO247-3 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | TO247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
¡Estos materiales soportan cables personalizados!
Saber más >>150 En Stock para Envío Rápido
150 disponible para envío inmediatoPuede Enviarse en 1-2 Días Hábiles
Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.6686 | $ 5.6686 |
| 10+ | $4.8451 | $ 48.4510 |
| 30+ | $4.1701 | $ 125.1030 |
| 90+ | $3.6753 | $ 330.7770 |
| 600+ | $3.4471 | $ 2068.2600 |
| 900+ | $3.3434 | $ 3009.0600 |
¿Mejor precio para mayor cantidad?
$
Recomendado Para Ti
Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | SUPSiC GC3M0075120D | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | 75mΩ@15V | |
| Operating Temperature - | -40℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 2pF | |
| Pd - Power Dissipation | 136W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 32A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.39nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 58pF | |
| Gate Charge(Qg) | 54nC |
Guía de compra
Expandir
150 Stock for Shipping Fast
150 available for immediate shippingPuede Enviarse en 1-2 Días Hábiles
Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.6686 | $ 5.6686 |
| 10+ | $4.8451 | $ 48.4510 |
| 30+ | $4.1701 | $ 125.1030 |
| 90+ | $3.6753 | $ 330.7770 |
| 600+ | $3.4471 | $ 2068.2600 |
| 900+ | $3.3434 | $ 3009.0600 |
¿Mejor precio para mayor cantidad?
$
