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SUPSiC GC3M0021120K
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | GC3M0021120K |
| Código de Pieza EBEE | E87435052 |
| Paquete | TO-247-4 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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121 disponible para envío inmediatoPuede Enviarse en 1-2 Días Hábiles
Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
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|---|---|---|
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| 10+ | $13.0794 | $ 130.7940 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | SUPSiC GC3M0021120K | |
| RoHS | ||
| Tipo | N-Channel | |
| Configuración | - | |
| RDS (on) | 21mΩ@15V | |
| Temperatura de funcionamiento - | -40℃~+175℃ | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 12pF | |
| Pd - Power Dissipation | 469W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.818nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 180pF | |
| Gate Charge(Qg) | 162nC |
Guía de compra
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121 Stock for Shipping Fast
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $14.2369 | $ 14.2369 |
| 10+ | $13.0794 | $ 130.7940 |
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