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SUPSiC GC3M0015065K
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | GC3M0015065K |
| Código de Pieza EBEE | E87435028 |
| Paquete | TO-247-4 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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195 disponible para envío inmediatoPuede Enviarse en 1-2 Días Hábiles
Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
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| 10+ | $10.3984 | $ 103.9840 |
| 30+ | $9.0130 | $ 270.3900 |
| 90+ | $8.1900 | $ 737.1000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | SUPSiC GC3M0015065K | |
| RoHS | ||
| Tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 15mΩ@15V | |
| Temperatura de funcionamiento - | -40℃~+175℃ | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 31pF | |
| Pd - Power Dissipation | 416W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 120A | |
| Ciss-Input Capacitance | 5.011nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 289pF | |
| Gate Charge(Qg) | 188nC |
Guía de compra
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| 10+ | $10.3984 | $ 103.9840 |
| 30+ | $9.0130 | $ 270.3900 |
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