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SUPSiC GC2M1000170D
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | GC2M1000170D |
| Código de Pieza EBEE | E87435057 |
| Paquete | TO247-3 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | TO247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
¡Estos materiales soportan cables personalizados!
Saber más >>En Stock: 373
Mínimo: 1Múltiplos: 1
Precio Unitario
$ 2.3590
Precio Ext.
$ 2.3590
Puede Enviarse en 1-2 Días Hábiles
Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.3590 | $ 2.3590 |
| 10+ | $2.0204 | $ 20.2040 |
| 30+ | $1.8104 | $ 54.3120 |
| 90+ | $1.5932 | $ 143.3880 |
| 600+ | $1.4955 | $ 897.3000 |
| 900+ | $1.4538 | $ 1308.4200 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | SUPSiC GC2M1000170D | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Power Dissipation | 69W | |
| Total Gate Charge | 22nC | |
| Continuous Drain Current | 5A | |
| Reverse Transfer Capacitance | 2.2pF | |
| Input Capacitance | 215pF | |
| Configuration | - | |
| Channel Type | 1 N-Channel | |
| Drain-Source On-State Resistance(15V) | - | |
| Drain-Source On-State Resistance(18V) | - | |
| Drain-Source On-State Resistance(20V) | 0.8Ω | |
| Vgs(th) | 2.8V | |
| Encapsulated Type | Single Tube | |
| V(BR)DSS | 1700V | |
| Drain-Source On-State Resistance(10V) | - |
Guía de compra
Expandir
En Stock: 373
Mínimo: 1Múltiplos: 1
Precio Unitario
$ 2.3590
Precio Ext.
$ 2.3590
Puede Enviarse en 1-2 Días Hábiles
Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.3590 | $ 2.3590 |
| 10+ | $2.0204 | $ 20.2040 |
| 30+ | $1.8104 | $ 54.3120 |
| 90+ | $1.5932 | $ 143.3880 |
| 600+ | $1.4955 | $ 897.3000 |
| 900+ | $1.4538 | $ 1308.4200 |
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