| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | GC2M0160120D |
| Código de Pieza EBEE | E87435048 |
| Paquete | TO-247-3 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.9169 | $ 3.9169 |
| 10+ | $3.4485 | $ 34.4850 |
| 30+ | $2.9087 | $ 87.2610 |
| 90+ | $2.6277 | $ 236.4930 |
| 600+ | $2.4975 | $ 1498.5000 |
| 900+ | $2.4387 | $ 2194.8300 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | SUPSiC GC2M0160120D | |
| RoHS | ||
| Tipo | N-Channel | |
| Configuración | - | |
| RDS (on) | 160mΩ@20V | |
| Temperatura de funcionamiento - | -55℃~+150℃ | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 5pF | |
| Pd - Power Dissipation | 125W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.9V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 18A | |
| Ciss-Input Capacitance | 606pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 58pF | |
| Gate Charge(Qg) | 40nC |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.9169 | $ 3.9169 |
| 10+ | $3.4485 | $ 34.4850 |
| 30+ | $2.9087 | $ 87.2610 |
| 90+ | $2.6277 | $ 236.4930 |
| 600+ | $2.4975 | $ 1498.5000 |
| 900+ | $2.4387 | $ 2194.8300 |
