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SUPSiC GC2M0160120D


Fabricante
Código de Pieza del Fabricante
GC2M0160120D
Código de Pieza EBEE
E87435048
Paquete
TO-247-3
Número de Cliente
Hoja de Datos
Modelos EDA
ECCN
-
Descripción
TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
¡Estos materiales soportan cables personalizados!
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181 En Stock para Envío Rápido
181 disponible para envío inmediato
Puede Enviarse en 1-2 Días Hábiles
Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
Cant.Precio UnitarioPrecio Ext.
1+$3.9169$ 3.9169
10+$3.4485$ 34.4850
30+$2.9087$ 87.2610
90+$2.6277$ 236.4930
600+$2.4975$ 1498.5000
900+$2.4387$ 2194.8300
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$
TipoDescripción
Seleccionar Todo
CategoríaDispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET)
Hoja de DatosSUPSiC GC2M0160120D
RoHS
TipoN-Channel
Configuración-
RDS (on)160mΩ@20V
Temperatura de funcionamiento --55℃~+150℃
Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds)5pF
Pd - Power Dissipation125W
Drain to Source Voltage1.2kV
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))2.9V
Current - Continuous Drain(Id)18A
Ciss-Input Capacitance606pF
Output Capacitance(Coss)58pF
Gate Charge(Qg)40nC

Guía de compra

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