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STMicroelectronics SCTWA60N120G2-4
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | SCTWA60N120G2-4 |
| Código de Pieza EBEE | E83281096 |
| Paquete | TO-247-4 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $33.8274 | $ 33.8274 |
| 3+ | $30.5220 | $ 91.5660 |
| 30+ | $29.2499 | $ 877.4970 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | STMicroelectronics SCTWA60N120G2-4 | |
| RoHS | ||
| Disipación de energía | 388W | |
| Corriente de drenaje continuo | 60A | |
| Tipo de canal | 1 N-Channel | |
| Voltaje de fuentes de drenaje | 1200V |
Guía de compra
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| 3+ | $30.5220 | $ 91.5660 |
| 30+ | $29.2499 | $ 877.4970 |
