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STMicroelectronics SCTWA35N65G2V-4
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | SCTWA35N65G2V-4 |
| Código de Pieza EBEE | E85268820 |
| Paquete | HiP-247-4 |
| Número de Cliente | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | HiP-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $8.1305 | $ 8.1305 |
| 10+ | $7.0428 | $ 70.4280 |
| 30+ | $6.3787 | $ 191.3610 |
| 100+ | $5.8233 | $ 582.3300 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| RoHS |
Guía de compra
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| 10+ | $7.0428 | $ 70.4280 |
| 30+ | $6.3787 | $ 191.3610 |
| 100+ | $5.8233 | $ 582.3300 |
