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STMicroelectronics SCTW35N65G2VAG
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | SCTW35N65G2VAG |
| Código de Pieza EBEE | E83281062 |
| Paquete | TO-247-3 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
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|---|---|---|
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| 10+ | $20.8392 | $ 208.3920 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | STMicroelectronics SCTW35N65G2VAG | |
| RoHS | ||
| Tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 67mΩ | |
| Temperatura de funcionamiento - | -55℃~+200℃ | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 30pF | |
| Pd - Power Dissipation | 240W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 45A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.37nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 125pF | |
| Gate Charge(Qg) | 73nC |
Guía de compra
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