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STMicroelectronics SCTH35N65G2V-7AG
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | SCTH35N65G2V-7AG |
| Código de Pieza EBEE | E83288435 |
| Paquete | H2PAK-7 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | H2PAK-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $12.9234 | $ 12.9234 |
| 30+ | $12.2744 | $ 368.2320 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | STMicroelectronics SCTH35N65G2V-7AG | |
| RoHS | ||
| Tipo | N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 208W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 45A |
Guía de compra
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