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STMicroelectronics SCT1000N170
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | SCT1000N170 |
| Código de Pieza EBEE | E82970166 |
| Paquete | TO-247-3 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $9.4295 | $ 9.4295 |
| 10+ | $8.2913 | $ 82.9130 |
| 30+ | $7.5978 | $ 227.9340 |
| 100+ | $7.0168 | $ 701.6800 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | STMicroelectronics SCT1000N170 | |
| RoHS | ||
| Disipación de energía | 96W | |
| Corriente de drenaje continuo | 7A | |
| Tipo de canal | 1 N-Channel | |
| Voltaje de fuentes de drenaje | 1700V |
Guía de compra
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| 10+ | $8.2913 | $ 82.9130 |
| 30+ | $7.5978 | $ 227.9340 |
| 100+ | $7.0168 | $ 701.6800 |
