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Slkor(SLKORMICRO Elec.) SL19N120A
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | SL19N120A |
| Código de Pieza EBEE | E82760944 |
| Paquete | TO-247-3 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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|---|---|---|
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| 90+ | $3.6435 | $ 327.9150 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | Slkor(SLKORMICRO Elec.) SL19N120A | |
| RoHS | ||
| Tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 160mΩ@20V | |
| Temperatura de funcionamiento - | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 2pF | |
| Pd - Power Dissipation | 134W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.9V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 19A | |
| Ciss-Input Capacitance | 895pF | |
| Gate Charge(Qg) | 43nC |
Guía de compra
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