| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | SP90N120CTK |
| Código de Pieza EBEE | E822466827 |
| Paquete | TO-247-4L |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.7391 | $ 3.7391 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | Siliup SP90N120CTK | |
| RoHS | ||
| Tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 15mΩ@18V | |
| Temperatura de funcionamiento - | -55℃~+175℃ | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 8pF | |
| Pd - Power Dissipation | 503W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 135A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.76nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 243pF | |
| Gate Charge(Qg) | 210nC |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.7391 | $ 3.7391 |
