10% off
Recommonended For You
Las imágenes son solo para referencia
Añadir a Favoritos
Sichainsemi S1M075120H1
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | S1M075120H1 |
| Código de Pieza EBEE | E822363607 |
| Paquete | TO-247-4L |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | None |
| Descripción | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
¡Estos materiales soportan cables personalizados!
Saber más >>41 En Stock para Envío Rápido
41 disponible para envío inmediatoPuede Enviarse en 1-2 Días Hábiles
Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.6935 | $ 2.6935 |
| 10+ | $2.2801 | $ 22.8010 |
| 30+ | $2.1245 | $ 63.7350 |
| 90+ | $1.8765 | $ 168.8850 |
| 510+ | $1.7616 | $ 898.4160 |
| 990+ | $1.7097 | $ 1692.6030 |
¿Mejor precio para mayor cantidad?
$
Recomendado Para Ti
Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | Sichainsemi S1M075120H1 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 70mΩ@18V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 3.9pF | |
| Pd - Power Dissipation | 214W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.8V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 38A | |
| Ciss-Input Capacitance | 920pF | |
| Gate Charge(Qg) | 40nC |
Guía de compra
Expandir
41 Stock for Shipping Fast
41 available for immediate shippingPuede Enviarse en 1-2 Días Hábiles
Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.6935 | $ 2.6935 |
| 10+ | $2.2801 | $ 22.8010 |
| 30+ | $2.1245 | $ 63.7350 |
| 90+ | $1.8765 | $ 168.8850 |
| 510+ | $1.7616 | $ 898.4160 |
| 990+ | $1.7097 | $ 1692.6030 |
¿Mejor precio para mayor cantidad?
$
