| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | S1M007120PD |
| Código de Pieza EBEE | E837636035 |
| Paquete | TO-247-4L |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $99.6867 | $ 99.6867 |
| 200+ | $39.7770 | $ 7955.4000 |
| 500+ | $38.4468 | $ 19223.4000 |
| 1000+ | $37.7898 | $ 37789.8000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | Sichainsemi S1M007120PD | |
| RoHS |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $99.6867 | $ 99.6867 |
| 200+ | $39.7770 | $ 7955.4000 |
| 500+ | $38.4468 | $ 19223.4000 |
| 1000+ | $37.7898 | $ 37789.8000 |
