| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | SCT3120ALGC11 |
| Código de Pieza EBEE | E8191056 |
| Paquete | TO-247AC-3 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | TO-247AC-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.8296 | $ 5.8296 |
| 10+ | $5.0738 | $ 50.7380 |
| 30+ | $4.6137 | $ 138.4110 |
| 90+ | $4.2284 | $ 380.5560 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | ROHM Semicon SCT3120ALGC11 | |
| RoHS | ||
| Disipación de energía | 103W | |
| Corriente de drenaje continuo | 21A | |
| Tipo de canal | 1 N-Channel | |
| V(BR)DSS | 650V |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.8296 | $ 5.8296 |
| 10+ | $5.0738 | $ 50.7380 |
| 30+ | $4.6137 | $ 138.4110 |
| 90+ | $4.2284 | $ 380.5560 |
