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ROHM Semicon BSM300C12P3E301
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | BSM300C12P3E301 |
| Código de Pieza EBEE | E86132527 |
| Paquete | - |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
¡Estos materiales soportan cables personalizados!
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $414.7914 | $ 414.7914 |
| 200+ | $389.5725 | $ 77914.5000 |
| 500+ | $376.5542 | $ 188277.1000 |
| 1000+ | $370.1216 | $ 370121.6000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | ROHM Semicon BSM300C12P3E301 | |
| RoHS | ||
| Disipación de energía | 1360W | |
| Corriente de drenaje continuo | 300A | |
| Tipo de canal | 1 N-Channel | |
| Voltaje de fuentes de drenaje | 1200V |
Guía de compra
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $414.7914 | $ 414.7914 |
| 200+ | $389.5725 | $ 77914.5000 |
| 500+ | $376.5542 | $ 188277.1000 |
| 1000+ | $370.1216 | $ 370121.6000 |
