| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | UJ4C075023B7S |
| Código de Pieza EBEE | E85814998 |
| Paquete | D2PAK-7 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | D2PAK-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $29.6620 | $ 29.6620 |
| 200+ | $11.8356 | $ 2367.1200 |
| 500+ | $11.4414 | $ 5720.7000 |
| 800+ | $11.2460 | $ 8996.8000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | Qorvo UJ4C075023B7S | |
| RoHS | ||
| Disipación de energía | 278W | |
| Corriente de drenaje continuo | 64A | |
| Tipo de canal | 1 N-Channel | |
| Voltaje de fuentes de drenaje | 750V |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $29.6620 | $ 29.6620 |
| 200+ | $11.8356 | $ 2367.1200 |
| 500+ | $11.4414 | $ 5720.7000 |
| 800+ | $11.2460 | $ 8996.8000 |
