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Qorvo UJ3C120080K3S
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | UJ3C120080K3S |
| Código de Pieza EBEE | E86731596 |
| Paquete | TO-247-3 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $30.9396 | $ 30.9396 |
| 10+ | $30.0577 | $ 300.5770 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | Qorvo UJ3C120080K3S | |
| RoHS | ||
| Tipo | N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 254.2W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 33A |
Guía de compra
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