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Qorvo UF3C120150K4S
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | UF3C120150K4S |
| Código de Pieza EBEE | E87136718 |
| Paquete | - |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
¡Estos materiales soportan cables personalizados!
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $16.7266 | $ 16.7266 |
| 210+ | $6.6746 | $ 1401.6660 |
| 510+ | $6.4516 | $ 3290.3160 |
| 990+ | $6.3418 | $ 6278.3820 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | Qorvo UF3C120150K4S | |
| RoHS | ||
| Disipación de energía | 166.7W | |
| Corriente de drenaje continuo | 18.4A | |
| Tipo de canal | 1 N-Channel | |
| Voltaje de fuentes de drenaje | 1200V |
Guía de compra
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $16.7266 | $ 16.7266 |
| 210+ | $6.6746 | $ 1401.6660 |
| 510+ | $6.4516 | $ 3290.3160 |
| 990+ | $6.3418 | $ 6278.3820 |
