| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | UF3C065030K4S |
| Código de Pieza EBEE | E86581986 |
| Paquete | - |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $39.9893 | $ 39.9893 |
| 210+ | $15.9557 | $ 3350.6970 |
| 510+ | $15.4224 | $ 7865.4240 |
| 990+ | $15.1592 | $ 15007.6080 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | Qorvo UF3C065030K4S | |
| RoHS | ||
| Disipación de energía | 441W | |
| Corriente de drenaje continuo | 85A | |
| Tipo de canal | 1 N-Channel | |
| Voltaje de fuentes de drenaje | 650V |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $39.9893 | $ 39.9893 |
| 210+ | $15.9557 | $ 3350.6970 |
| 510+ | $15.4224 | $ 7865.4240 |
| 990+ | $15.1592 | $ 15007.6080 |
