| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | UF3C065030B3 |
| Código de Pieza EBEE | E86581984 |
| Paquete | TO-263(D2PAK) |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | TO-263(D2PAK) Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $37.5401 | $ 37.5401 |
| 200+ | $14.9789 | $ 2995.7800 |
| 500+ | $14.4787 | $ 7239.3500 |
| 800+ | $14.2323 | $ 11385.8400 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | Qorvo UF3C065030B3 | |
| RoHS | ||
| Disipación de energía | 242W | |
| Corriente de drenaje continuo | 65A | |
| Tipo de canal | 1 N-Channel | |
| Voltaje de fuentes de drenaje | 650V |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $37.5401 | $ 37.5401 |
| 200+ | $14.9789 | $ 2995.7800 |
| 500+ | $14.4787 | $ 7239.3500 |
| 800+ | $14.2323 | $ 11385.8400 |
