| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | KXMW120R40T3 |
| Código de Pieza EBEE | E820607109 |
| Paquete | TO-247-3L |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | TO-247-3L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.5562 | $ 5.5562 |
| 10+ | $4.8387 | $ 48.3870 |
| 30+ | $4.4131 | $ 132.3930 |
| 90+ | $3.9819 | $ 358.3710 |
| 510+ | $3.7837 | $ 1929.6870 |
| 990+ | $3.6938 | $ 3656.8620 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | Power X KXMW120R40T3 | |
| RoHS | ||
| Disipación de energía | 519W | |
| Corriente de drenaje continuo | 68A | |
| Tipo de canal | 1 N-Channel | |
| V(BR)DSS | 1200V |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.5562 | $ 5.5562 |
| 10+ | $4.8387 | $ 48.3870 |
| 30+ | $4.4131 | $ 132.3930 |
| 90+ | $3.9819 | $ 358.3710 |
| 510+ | $3.7837 | $ 1929.6870 |
| 990+ | $3.6938 | $ 3656.8620 |
