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PN Junction Semiconductor PAA12400BM3
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | PAA12400BM3 |
| Código de Pieza EBEE | E817638836 |
| Paquete | - |
| Número de Cliente | |
| Modelos EDA | |
| Descripción | Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
¡Estos materiales soportan cables personalizados!
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2,281.7397 | $ 2281.7397 |
| 200+ | $910.4297 | $ 182085.9400 |
| 500+ | $880.0062 | $ 440003.1000 |
| 1000+ | $864.9739 | $ 864973.9000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| RoHS | ||
| Corriente de drenaje continuo | 350A | |
| Configuración | Half Bridge | |
| Tipo de canal | 2 N-Channel | |
| Voltaje de fuentes de drenaje | 1200V |
Guía de compra
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
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| 200+ | $910.4297 | $ 182085.9400 |
| 500+ | $880.0062 | $ 440003.1000 |
| 1000+ | $864.9739 | $ 864973.9000 |
