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PN Junction Semiconductor P3M173K0T3
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | P3M173K0T3 |
| Código de Pieza EBEE | E85823481 |
| Paquete | TO-220-2L |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | TO-220-2L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $10.8233 | $ 10.8233 |
| 200+ | $4.3200 | $ 864.0000 |
| 500+ | $4.1753 | $ 2087.6500 |
| 1000+ | $4.1039 | $ 4103.9000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | PN Junction Semiconductor P3M173K0T3 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+175℃ | |
| Disipación de energía | 75W | |
| Total carga de la puerta | 3.79nC | |
| Corriente de drenaje continuo | 4A | |
| Reverse transferencia Capacitance | 4.3pF | |
| Capacitación de entrada | 116pF | |
| Capacitación de salida | 12pF | |
| Configuración | - | |
| Tipo de canal | 1 N-Channel | |
| Drain-Source Resistencia al Estado (15V) | 2500mΩ | |
| Drain-Source Resistencia estatal (18V) | - | |
| Resistencia en estado de la fuente de drenaje (20V) | - | |
| Tipo encapsulado | Single Tube | |
| Resistencia del estado de la fuente de drenaje (10V) | - | |
| Voltaje de fuentes de drenaje | 1700V | |
| Tensores de la fuente de drenaje | 2.2V |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $10.8233 | $ 10.8233 |
| 200+ | $4.3200 | $ 864.0000 |
| 500+ | $4.1753 | $ 2087.6500 |
| 1000+ | $4.1039 | $ 4103.9000 |
