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PN Junction Semiconductor P3M06300D8
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | P3M06300D8 |
| Código de Pieza EBEE | E85840346 |
| Paquete | DFN8080-8 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| Descripción | DFN8080-8 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $13.1880 | $ 13.1880 |
| 200+ | $5.2626 | $ 1052.5200 |
| 500+ | $5.0867 | $ 2543.3500 |
| 1000+ | $4.9995 | $ 4999.5000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | PN Junction Semiconductor P3M06300D8 | |
| RoHS | ||
| Disipación de energía | 32W | |
| Corriente de drenaje continuo | 9A | |
| Tipo de canal | 1 N-Channel | |
| Voltaje de fuentes de drenaje | 650V |
Guía de compra
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
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| 200+ | $5.2626 | $ 1052.5200 |
| 500+ | $5.0867 | $ 2543.3500 |
| 1000+ | $4.9995 | $ 4999.5000 |
