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onsemi NVH4L070N120M3S
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | NVH4L070N120M3S |
| Código de Pieza EBEE | E820625010 |
| Paquete | TO-247-4L |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | onsemi NVH4L070N120M3S | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | 35mΩ@18V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 5pF | |
| Pd - Power Dissipation | 160W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | - | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 34A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.23nF | |
| Gate Charge(Qg) | 57nC |
Guía de compra
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