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onsemi NVH4L060N090SC1
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | NVH4L060N090SC1 |
| Código de Pieza EBEE | E82902307 |
| Paquete | TO-247-4L |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $18.5673 | $ 18.5673 |
| 10+ | $16.9812 | $ 169.8120 |
| 30+ | $15.5226 | $ 465.6780 |
| 90+ | $14.2498 | $ 1282.4820 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | onsemi NVH4L060N090SC1 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 221W | |
| Drain to Source Voltage | 900V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 46A |
Guía de compra
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| 10+ | $16.9812 | $ 169.8120 |
| 30+ | $15.5226 | $ 465.6780 |
| 90+ | $14.2498 | $ 1282.4820 |
